蚀刻工艺的选择性和成本控制

等离子体蚀刻可能是半导体制造中最重要的工艺，也可能是仅次于光刻的所有晶圆厂操作中最复杂的。几乎一半的晶圆制造步骤都依赖于等离子体，一种高能电离气体来完成它们的工作。

尽管晶体管和存储单元不断缩小，工程师们仍在继续提供可靠的蚀刻工艺。

Lam Research负责蚀刻产品集团营销的公司副总裁Thomas Bondur表示：“为了可持续地制造出具有纳米级精度和正确结构的芯片，晶圆厂设备制造商需要突破等离子体物理、材料工程和数据科学的界限，提供所需的设备解决方案。”。这一点在等离子体蚀刻中最为明显，等离子体蚀刻与光刻技术携手合作，在晶圆上创造出精确、可重复的特征。

本报告研究了3D NAND、DRAM、纳米片FET和互连中的关键蚀刻步骤，并展望了2D器件和后端处理。该行业也在追求更可持续的蚀刻化学，以减少其晶圆厂的等效二氧化碳排放。

对于许多工具制造商来说，工艺建模在蚀刻工艺开发中起着关键作用。目标是缩短上市时间，同时降低晶圆和掩模成本。

Lam Research高级营销总监Barrett Finch表示：“一些最棘手的步骤的蚀刻工艺优化可能需要一年或更长时间才能完成。”。“我们最近在三周内完成了一些过程模拟工作，预计需要三个月的时间，使用典型的硅基测试和开发。”

仅就设备制造商的掩模和晶圆成本而言，这可能高达数十万甚至数百万美元。